盡管功率半導體賽道走勢低迷，A股IGBT龍頭斯達半導(603290)受益于清潔能源和新能源汽車需求提升，2023年凈利潤保持增長，并擬派發(fā)2.73億元現(xiàn)金“紅包”。

截至4月8日收盤，斯達半導逆勢上漲5.42%，報收146.8元/股。

光伏逆變器需求下降

IGBT作為發(fā)展最快的功率半導體器件之一，IGBT模塊構(gòu)成了斯達半導的主營收入。去年斯達半導實現(xiàn)營業(yè)收入36.63億元，同比增長約35%；歸屬凈利潤9.11億元，同比增長11.36%，盈利增速低于過去兩年，基本每股收益5.33元。分季度來看，去年第四季度公司歸屬凈利潤環(huán)比增長10.53%。

雖然年度業(yè)績增速放緩，但斯達半導加大了2023年度分紅力度，擬每10股派發(fā)現(xiàn)金紅利15.9784元（含稅）及每10股轉(zhuǎn)增4股，合計預(yù)計派發(fā)現(xiàn)金紅利2.73億元（含稅）。

作為主營業(yè)務(wù)，斯達半導去年IGBT模塊營收同比增長近五成，但營業(yè)成本同比增長近55%，毛利率同比下降1.93個百分點；公司其他產(chǎn)品收入同比下降約三成。據(jù)介紹，主要由于去年IGBT單管的核心下游戶用式光伏逆變器需求下降導致。

從收入結(jié)構(gòu)來看，新能源行業(yè)成為斯達半導的營收主力，去年實現(xiàn)21.56億元營收，較上年同期增長48.09%；相比，公司變頻白色家電及其他行業(yè)的營業(yè)收入增速較高，同比增長近七成；來自工業(yè)控制和電源行業(yè)的營業(yè)收入同比增長近16%。

去年斯達半導IGBT模塊總產(chǎn)量1373萬只，同比增長近五成，銷售量同比增長近三成，而庫存量同比增長2.3倍至129萬只。公司指出，為了更好地滿足客戶需求，對IGBT模塊進行了合理的備貨，庫存量較上年同期有所增加。

車規(guī)級IGBT模塊持續(xù)放量

2023年，斯達半導生產(chǎn)的應(yīng)用于主電機控制器的車規(guī)級IGBT模塊持續(xù)放量，合計配套超過200萬套新能源汽車主電機控制器；另外，公司和深藍汽車合資成立重慶安達半導體有限公司，研發(fā)生產(chǎn)高性能、高可靠性的車規(guī)級IGBT模塊和車規(guī)級SiC MOSFET模塊，預(yù)計2024年完成廠房建設(shè)并開始生產(chǎn)。

產(chǎn)品迭代方面，去年斯達半導基于第七代微溝Trench Field Stop技術(shù)的750V車規(guī)級IGBT模塊大批量裝車，基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的1200V車規(guī)級IGBT模塊新增多個800V系統(tǒng)車型的主電機控制器項目定點，將對2024年—2030年公司新能源汽車IGBT模塊銷售增長提供持續(xù)推動力。

在海外新能源汽車市場，斯達半導車規(guī)級IGBT模塊在歐洲一線品牌Tier1開始大批量交付，同時報告期內(nèi)公司新增多個IGBT/SiC MOSFET主電機控制器項目定點，海外新能源汽車市場呈現(xiàn)快速增長趨勢。公司整體海外業(yè)務(wù)增長強勁。

除了新能源汽車市場，斯達半導新能源風光儲業(yè)務(wù)快速增長。公司基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的IGBT模塊在地面光伏電站和大型儲能批量裝機，并在北美等海外電站批量裝機；公司1200V、650V大電流單管已大批量應(yīng)用于工商業(yè)光伏和儲能，目前公司產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)戶用型、工商業(yè)、地面電站光伏和儲能系統(tǒng)全功率覆蓋。

北上資金減持

2021年，斯達半導定增募資近35億元。再融資募投項目進展顯示，公司高壓特色工藝功率芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、功率半導體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目項目進度分別達到80.26%、76.27%和88.3%，預(yù)計達到可使用狀態(tài)時間均為2024年11月。

報告期內(nèi)，斯達半導研發(fā)投入2.87億元，同比增加52.16%，加大對下一代IGBT、SiC芯片以及模塊先進封裝技術(shù)的研發(fā)力度。

2024年，斯達半導將持續(xù)發(fā)力新能源汽車及燃油汽車半導體器件市場，繼續(xù)深耕工業(yè)控制及電源行業(yè)，在變頻器、電焊機、電梯控制器、伺服器、電源等領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，提高現(xiàn)有客戶的采購份額，加大海外市場的開拓力度，突破海外頭部客戶，提高市場占有率。另外，公司加大SiC功率芯片的研發(fā)力度，繼續(xù)推出符合市場需求的自主的車規(guī)級SiC芯片以及推出應(yīng)用于軌道交通和輸變電等行業(yè)的3300V—6500V高壓IGBT產(chǎn)品。

自去年來，斯達半導股價累計下跌約55%（前復權(quán)）；本期年報發(fā)布后，公司股價最新回升5.42%，報收146.8元/股。

截至去年第四季度末，陸股通減持了斯達半導約90萬股，流通股持股比例降至3.99%；華夏國證、國聯(lián)安中證、國泰CES的半導體開放式指數(shù)基金均減持，而安本基金新進成為第十大流通股東，持股近84萬股，占比0.49%。